소식 '10년내 못 이겨' 대만 도발에 3나노 신공정 칼 빼든 삼성
- 뉴스봇
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- 2021.08.26. 06:21
삼성전자가 시스템반도체 글로벌 1위 도약을 위해 칼을 빼들었다. GAA(Gate All Around) FET 공정을 적용한 3나노(㎚, 1나노미터는 10억분의 1m) 이하 제품 조기 양산에 성공해 대만 TSMC를 따라잡는다는 전략이다. 최근 삼성의 기술력을 부정적으로 평가했던 대만 언론의 도발에 정면대응한 것이라는 평가가 나온다.
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