일단 최초 발표때는 7LPP 대비

 

성능 30%

소비전력 50%

면적 45%

 

개선이라고 했습니다.

 

 

 

문제는 논란이 되었던것이

 

 

바로 요 수치입니다.

 

MBCFET 도입시 7나노 대비

 

성능 10%

소비전력 20%

면적 25%

 

개선이다라는게 삼성 공식 홈페이지에 소개됬습니다.

 

 

문제는 저 수치가 삼성파운드리의 오피셜

7LPP -> 5LPE 향상치라서 말이 많았습니다.

 

그래서 저 수치가 7LPP -> 3GAE 수치가 아닌

7LPP에 MBCFET 도입시 향상치네 아니네 말이 많았죠....

 

 

 

어쨋든 공식 로드맵에서 3GAE는 삭제됬습니다.

아마 3GAE는 S.LSI만 쓰는 과도기 3나노 MBCFET 공정일것으로 보이는데....

 

 

일단 3GAP 공정의 경우

 

 

4LPE/4LPP 이후

Pitch Scaling New TRArchitecure

라고 표시하는거 보면

 

3GAP는 풀노드급 개선 MBCFET 도입말고도 물리적인

면적개선이 있다라는 소리가됩니다.

 

 

대충 정리해보면

 

 

3GAE = 과도기 3나노 MBCFET공정으로 4LPP 백엔드 베이스일것으로 추정, S.LSI 차차기 엑시노스 한정으로 사용?

3GAP = 4LPE/4LPP 이후 풀노드 개선된 진정한 3나노 MBCFET 공정으로 대형 고객사를 타겟으로한 범용 공정

 

 

정도로 정리될것으로 보입니다.

 

 

제대로된 PPA는

10월에 있을 파운드리 포럼을 봐야할것으로 보이네요.