• 2017: 1.0x, S3/S4 팹 시작
• 2021: 1.8배, S5단계 1단계 시작, 2022/2023년 2단계
• 2026년: >3.2배

삼성 파운드리는 이를 중기 용량 계획이라고 부릅니다. 현재 삼성에는 다음과 같은 시설이 있습니다.

• S1, 기흥코리아, 8-65nm, 6호선 65-180nm
• S2, 오스틴 미국, 14-65nm
• S3, 화성코리아, 10nm급
• S4, 화성코리아, CMOS 이미지 센서용
• S5, 화성코리아, EUV 1단계
• 한국 온양시 테스트/패키지 센터
• 중국 쑤저우의 테스트/패키지 센터

17~20년 사이에 화성 S3와 S4를 가동하기 시작했고, 21년에 S5를 돌리기 시작.

아난드텍에서는 S5를 화성 EUV 라인이라고 적어놨는데, 그건 V1인가 V2이나 그렇고요. S5는 공식 보도자료에서 떡하니 나왔는데, 평택에 있는 P2 안의 파운드리 라인입니다. 뭐 삼성 측에서 슬라이드를 헷갈리게 표현했을 수도 있겠네요.

하여튼 중요한 건 17년 대비 21년에 웨이퍼 CAPA에 1.8배 늘어났다는 건데, 이게 파운드리 사업부 출범 당시 비교기준이 12인치만 해당하는 건지 아니면 8인치까지 포함하는 건지 모르겠습니다만, 어느 쪽이든 상당한 증가로군요.