오늘 스냅드래곤 X70 모뎀이 발표되었습니다. 스냅드래곤 X70 모뎀 공정이 4nm인 것을 보면 100% TSMC 공정이 확실해보이며, 아마 N4 또는 N4P 공정일 것으로 추정됩니다. (최근 퀄컴 직원 링크드인 프로파일을 보면 TSMC 4nm 공정으로 작업중이라는 내역이 많이 보입니다. 이 자료를 근거로 들었음을 알려드립니다.)

이번 스냅드래곤 X70 모뎀 생산공정이 TSMC 4nm라면 2023년형 퀄컴의 안드로이드 AP인 스냅드래곤 8 Gen 2도 마찬가지로 TSMC 4nm 공정으로 생산될 것이 확실하다고 생각합니다. 주로 GOS 등 불편사항으로 인해 갤럭시 진영에서 이탈할 계획이 있으면서도 안드로이드에 계속 머무르고 싶으신 분들(아수스, 소니 엑스페리아 등 타사 브랜드 해외직구를 희망하시는 분들)이라면 아마 내년이 절호의 기회일 지도 모를 것 같습니다! ^^

여태까지 모뎀 생산 공정을 보면 추후 스냅드래곤 8XX 시리즈 AP가 출시될 때마다 생산 공정도 모뎀 생산 공정과 비슷한 경우가 많았습니다.

스냅드래곤 X60 모뎀 => 스냅드래곤 888/888+ - 삼성 5nm FinFET EUV (5LPE)

스냅드래곤 X65 모뎀 => 스냅드래곤 8 Gen 1 - 삼성 4nm FinFET EUV (4LPX, 구 5LPP)

이라면...

스냅드래곤 X70 모뎀 => 스냅드래곤 8 Gen 2 - TSMC 4nm FinFET EUV (N4 또는 N4P) 아마 이런 식으로 출시될 것 같네요.

그리고 내년 갤럭시 S 국내판 AP는 어떤 프로세서를 탑재하고 나올지 참 기대됩니다. (다만 GOS 없애지 않으면 TSMC제든 삼성 파운드리제든 성능 반토막이란 게 문제네요... 그리고 타사 브랜드 직구를 해도 VoLTE 패치때문에 문제고요. 하루빨리 한국 내 외산폰 사용 여건이 좋아졌으면 합니다.)

추가 정보: 퀄컴 직원 링크드인 프로필에서 삼성 3nm GAE 공정이 언급된 적이 있었는데, 행방이 어떻게 될 지는 알 수 없는 것 같네요. 아마 공정 작업 계획이 무산됐거나 또는 스냅드래곤 6XX/7XX 등 중하위 티어 AP나 중하위 티어 모뎀에 할당될 것 같습니다.