- Intel 4 (이전 Intel 7-nm)는 high-performance logic library 기준 Intel 7 (이전 Intel 10ESF) 대비 

2X area scaling

iso-power에서 20% performance gain

- high-performance library 기준

50 nm gate pitch

30 nm fin pitch

30 nm minimum metal pitch

(vs Intel 7

60 nm CPP

34 nm fin pitch

36 nm metal pitch)

- 8개의  VT 옵션(4 NVT + 4 PVT) 제공

NMOS기준 VT Range 190mV

PMOS기준 VT Range 180mV

- EUV lithography를 이용 공정을 단순화(예로 Metal Layer 수 감소) 하고 수율을 향상시킴

- 16개의 Metal Layer로 interconnect stack 구성

- 중요한 하위 layers에 향상 된 copper metallurgy 를 사용하여 electromigration 특성을 향상 시키고 line resistance를 감소

; Intel 7의 copper과 cobalt metallisation

비교시 electromigration 특성 및 line resistance 개선

- Intel 4 SRAM은  0.03 μm2면적의 bitcell을 활용하여 6T SRAM 설계를 최적화, 8T cell과 비슷한 수준의 Power 확보(기존 6T 설계대비 5.6x dynamic power 감소)

- Intel 4의 high-density cell 기준 면적 35% 수준의 감소(Intel 7의 최소 bitcell 크기는 0.367 μm2)

- 60 kB크기의 macro test 결과

- Test 칩의 다이샷