차세대 공정기술 GAA 선제 도입

삼성전자가 30일 게이트올어라운드(GAA) 기반 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 반도체 공정 양산을 세계 최초로 시작한다. 차세대 파운드리(반도체 위탁 생산) 산업 1위 업체인 대만 TSMC를 단번에 따라잡을 수 있는 포석을 놓았다는 평가가 나온다.

28일 업계에 따르면 삼성전자는 30일 차세대 GAA 기반 나노 반도체 공정 양산 사실을 공식 발표한다. GAA는 기존 핀펫(FinFET)보다 칩 면적을 축소하고 소비 전력도 줄인 기술이다. 삼성전자가 GAA 기반 3나노 반도체를 올 상반기 내에 양산하겠다고 공언한 기존 약속을 결국 지킨 셈이다.