SK하이닉스는 'DDR5 MCR DIMM' 샘플 개발에 성공했다고 밝혔다.

SK하이닉스에 따르면 이번에 개발된 MCR DIMM은 기존 DDR5의 동작 속도를 높이기 위해 D램 단품의 동작 속도가 아닌 모듈을 통해 속도를 높이는 방향으로 개발이 진행됐으며, SK하이닉스 기술진은 MCR DIMM에 탑재된 데이터 버퍼를 사용해 D램 모듈의 기본 동작 단위인 랭크 2개가 동시 작동하도록 설계했다.

이에 따라 보통 D램 모듈에서는 1개의 랭크에서 한번에 64바이트(Byte)의 데이터가 CPU에 전송되지만, MCR DIMM에서는 2개의 랭크가 동시 동작해 128바이트를 전송함으로써 모듈에서 CPU로 가는 회당 데이터 전송률을 늘려 4.8Gbps 속도의 기존 서버용 DDR5 D램보다 80% 넘게 빨라진 8Gbps 이상의 속도를 구현했다.

SK하이닉스는 이번 제품 개발을 성공하는데 미국 인텔(Intel), 일본 르네사스(Renesas)와의 글로벌 협업이 주효했다며, 자사의 모듈 설계 역량에 인텔의 서버 CPU와 르네사스의 버퍼 기술력이 융합되면서 이번 제품 개발이 가능했다고 설명했다.

또한 향후 고성능 컴퓨팅 시장에서 MCR DIMM의 수요가 크게 늘어날 것으로 전망하면서, 고객 수요가 본격화되는 시점에 맞춰 제품 양산에 들어갈 계획이라고 언급했다.