* VLSI2023 발표 내용 중 글쓴이의 개인적 취향으로 고른 IBM의 발표들입니다.

(다른 주제의 발표들도 있습니다.)

 

- SiGe 성장 기술

RIE(Reactive Ion Etching) 기술을 활용하는 contact cavity shaping 공정

2E21 at.cm³의 활성 boron 도핑 허용하는 선택적 고도 도핑 SiGe:B 에피택셜 공정

을 300mm 웨이퍼 공정에 최적화

5.2x10-10ohms.cm²의 해당하는 유효 접촉 저항과 함께 Weff의 11ohms.um의 기록적으로 낮은 트랜지스터 접촉 저항을 구현, 이를통해 leff 성능 44(median)/19%(최대) 개선

 

 

 

- 5나노 공정의 L2 캐시

단일 전원 및 금속 결합 커패시턴스를 사용하여 워드 라인, 셀 및 비트 라인 전원을 독립적으로 부스트할 수 있는 새로운 회로를 갖춘 6T 초고밀도 SRAM 셀을 기반

5nm 공정의 L2 캐시 시연

0.57V의 최소 전원으로 작동

1.1V에서 1.9GHz의 최대 작동 주파수에 도달

 

 

 

- 5나노 공정의 정수 Compute Unit

5nm 공정의 전력 효율을 2.5배 향상을 위한

CMOS의 스위치드 커패시터 기반 정수 컴퓨팅 장치

MAC(Integer Multiply-Accumulate) 연산은 1-b MACS의 스케일링된 합으로 재구성되며, 여기서 각 1-b MAC은 모집단 카운터(PPCTR) 회로를 사용하여 수행

각 PPCTR은 정밀도 손실 없이 1-b 곱셈, D-A 변환, 누적 및 A-D 변환을 수행하는 향상된 SAR ADC

64개의 처리 엔진으로 배열된 4864개의 PPCTRS가 있으며 총 처리량은 104.9 TOPS이고 1-b MACS의 경우 전력 효율은 650 TOPS/W

 

 

 

- SOI Nanowires 기반 Quantum dot array

FD-SOI 나노와이어의 양자점 Array에 강자성 나노 크기의 코발트 배리어 게이트를 통합하는 것을 제안 및 시연

전자 스핀 큐비트의 디코히어런스 필드를 최소화하면서 구동 및 주소 지정 가능성을 모두 향상

전하 잡음 스펙트럼은 1Hz에서 10-6 e2Hz-¹ 미만 값 달성, 10mK에서 안정적인 양자 구속과 전체 다중 게이트 FET 기능 시연

도트-자석 거리는 10nm 미만이며 도트 영역에서 자기 게이트의 풋프린트는 30x70nm²

Rabi 주파수는 282MHz이고 큐비트 주소 지정 가능성은 1.069GHz