최근 D램 미세공정 한계가 현실화되면서 미세 공정 한계를 돌파하기 위한 다양한 연구가 진행되고 있다. SK하이닉스는 패터닝, 셀 커패시터, 저(低) 저항 배선 등에서 혁신이 필요하다고 밝혔다. 또, 미세 공정의 대안으로 3D D램 등 신규 플랫폼의 필요성을 강조했다.길덕신 SK하이닉스 부사장은 8일 서울 역삼동 코엑스타워에서 《디일렉》 주관으로 열린 ‘2023 차세대 메모리공정 장비·소재·기술 콘퍼런스’에서 “최근 D램 영역에서 미세공정 한계가 현실화되고 있다”며 “기술적 난제들이 굉장히 많은 상황이며, 이를 극복하기 위해서는 3D


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