- TSMC N4

지난 글에서 퀄컴이 VLSI2023에서 SD888대비 SD8G2의 개선에 대한 논문을 소개한 적이 있습니다.

골라보는 VLSI2023 퀄컴편 - 미코 (meeco.kr)

PC Watch에서 구체적인 내용을 리뷰해주었는데 해당 논문이 흥미로운 점은

SD888의 공정 삼성 5LPE와

SD8G2의 공정 TSMC N4를 둘다 사용해본 퀄컴이 직접 공정비교를 한다는 점입니다.

실제로 공정 요소기술의 비교를 보면

TSMC의 cSiGe 적용

삼성 CB on RX vs TSMC CB over RX

SDB 공정 차이

MMP 차이를 설명하고 있습니다.

참고) 삼성의 CB on RX vs CB over RX 비교

사실 이런 기술 비교보다 실제 공정 성능의 비교가 궁금하실 텐데...

RO 성능 @ ISO Leakage 기준에서

삼성 5LPE 대비 TSMC N4가 21% 성능향상을 보여줍니다.

더욱 놀라운점은 SRAM 성능의 경우

삼성 5LPE 대비 TSMC N4가

Lekgea 70% 개선 &(or이 아닙니다!!!) 성능 10% 개선입니다.

보통 각 회사에서 발표하는 공정의 PPA개선은 다양한 Cell이나 Vt 옵션 및 DTCO등의 개선점을 종합적으로 적용한 발표치인데...

이번 논문에서 소개되는 내용은 단순 RO/SRAM 수준의 개선점으로

각 사들의 발표치보다 소자 레벨의 비교에 보다 가깝다고 생각하시면 됩니다.

+ N4 2세대의 경우

CPU 동작 Votage에서 추가적인 개선이 있다고하네요.

출처 : Snapdragon 8 Gen2向け4nmプロセスはQualcommとTSMC共同開発。その詳細が明らかに - PC Watch (impress.co.jp)

- 삼성 4LPE

그렇다면 삼성의 경우 4LPE 정보가 없을까?

그래서 찾아보았습니다.

High Performance 4nm FinFET Platform (4LPE) with Novel Advanced Transistor Level DTCO for Dual-CPP/HP-HD Standard Cells @ 2021 IEEE

해당 논문이 유료라서 실제 본문 내용을 자세하게 보지는 못햇는데

초록과 검색을 활용해서 발견한 정보에서 일부 성능정보를 알 수 있었습니다.

Abstract: