https://n.news.naver.com/article/011/0004234557?type=journalists

https://n.news.naver.com/article/011/0004234578?type=journalists

3나노 수직 적층 솔루션 이름은 ‘세인트(Saint)-L'인데 5나노, 3나노 칩을 수직으로 쌓아올리고

그 위에?? 메모리를?? 추가로 적층하는 솔루션이랍니다. d램인건지 뭔지는 안나오지만

mi300의 사례를 보면 5나노 칩이 io와 sram다이 역할을 할 가능성이 높으니 d램일거 같네요

방열해소는 어떻게 하는건지... 추가로 EDA 회사 케이던스와 협력해 만들고 있고

현재 테스트 칩을 만든 단계이고 이름을 밝힐 수 없는 고객사와 함께 양산을 목표로 연구를 진행하고 있다는 군요

어디일지 궁금하네요 amd일까요 ㅋㅋ

인텔과의 협업은 아예 수직 적층용 d램을 만든다는 내용이고 잘되면 2025년 인텔 최신칩에 들어간답니다

2.5d로 바싹 옆에 붙이는 hbm도 모자라서 아예 3d로 디램 붙이려나 보네요

기존 HBM보다 전력 효율은 60% 개선되고 정보 이동 지연성은 50% 감소한답니다

삼성이 패키징 메모리 파운드리 전부 하는 유일한 회사다 보니 할수 있는 부분인거 같네요

뭔가 그간 2~3년간 엉망진창이였다 요즘 궤도에 올라가는 느낌이 있네요 비정상의 정상화인지 뭔지..