정기태 삼성전자 파운드리사업부 부사장의 피셜입니다.

- 1.4nm

"1.4nm 공정에서는 나노시트를 4개로 늘린다"

 "1.4nm 공정은 2027년 양산을 목표하고 있다"

> 네 4층 나노시트는 삼성 파운드리 로드맵 변경전 원래 2GAP에 적용 예정이었던 기술입니다.

(하기 이미지 참고)

2GAP=1.4nm 인건지...

로드맵을 정비하면서 요소기술 순이 바뀐건지는....... 삼성전자만 알겠죠?

- BSPDN

삼성전자는 1.4nm부터 어드밴스드 후면전력전달네트워크(BSPDN)를 적용한다고 밝혔다. 어드밴스드 BSPDN은 BSPDN의 후속 기술인 것으로 추정된다. BSPDN은 전력 배선을 웨이퍼 후면에 배치해 전력 및 신호 라인의 병목 현상과 셀 활용률 등을 개선하는 설계 구조다. 삼성전자는 2nm 공정부터 BSPDN을 도입할 계획이다.

> BSPDN 도입은 TSMC처럼 2nm 부터 적용이고

'어드밴스드' BSPDN이라는 더 발전된 공정이 1.4nm 부터 적용될거라고 하네요.

- 3nm GAA

"새로운 기술이 바뀔 때, 어떤 기술은 기존 것과 확 다를 수도 있지만 비슷한 특성일 수도 있다"

 "(핀펫을 사용하는) TSMC 3nm와 우리 3nm 공정의 특성이 비슷하다"

"(다만 핀펫의 경우) 더 이상 개선하기가 쉽지 않아 보였다"

"(3nm) 2세대를 내년에 공개하는데, 많은 고객들이 인볼브돼서 하고 있다"

>  삼성 3nm GAA와 TSMC 3nm FinFET 공정은 동등 수준의 특성이라고 하고...

다만 GAA가 개선 여지가 더 크고...

3nm GAA 개발에 고객 참여가 많다고 하네요.

Fin으로 GAA랑 동급 특성 만드는 Fin 깎는 장인.... TSMC