https://youtu.be/t6Y41zdO3Pc

인텔은 2023국제전자소자학회(IEDM)에서 미래 반도체 공정 로드맵을 지원할 획기적인 트랜지스터 확장 기술 및 연구개발(R&D) 성과를 발표했다.

인텔이 발표한 내용은 무어의 법칙을 이어가기 위해 지난 2021년 7월 발표한 리봇펫(RibbonFET)과 파워비아(PowerVia) 기술의 진전 사항으로, 이 자리에서 실리콘 트랜지스터와 질화갈륨(GaN) 트랜지스터를 패키징이 아닌 동일한 300mm 웨이퍼 상에서 대규모 3D 모놀리식 방식으로 통합할 수 있음을 선보였다. 

이로써 무어의 법칙을 이어간다고 밝혔다. 본 행사에서 인텔 연구진은 후면 전력 공급 기술과 후면 직접 접촉 기술을 적용한 3D 적층형 상보형 금속 산화물 반도체(CMOS)의 진전을 공개했다. 또한, 후면 전력 공급을 위한 최근의 R&D 혁신을 확장하는 후면 접촉 기술을 발표했다.