화웨이, 퀄컴, 미디어텍, 애플을 포함합니다.

더 이상 숨기지 않고 모두 공개합니다.

 

 

 

출처 The JoongAng

회로 구조가 3차원적이기 때문에

따라서 선형 측정은 더 이상 적용되지 않습니다.

몇 나노미터 또는 몇 나노미터가 아니라.

따라서 1x, 1y, 1z, 1α, 1β, 1γ 등입니다.

이러한 용어의 목적은 DRAM 제조 공정을 정의하기 위한 것입니다.

1x 제조 공정(18nm)

1y 제조 공정(17nm)

1z 제조 공정(15nm-16nm)

1알파 제조 공정(13nm-14nm)

1β 제조 공정(12nm-13nm)

 

 

 

화웨이 SoC용 총 메모리 제조 공정:

기린 980, 기린 985, 기린 990

메모리는 모두 하이닉스의 LPDDR4X-4266 사용

LPDDR4X-4266: 하이닉스 1x(18nm)

///

기린 9000E, 기린 9000

메모리에는 하이닉스의 LPDDR5-5500이 사용됩니다.

LPDDR5-5500 : 하이닉스 1y(17nm)

///

기린 8000, 기린 9000SL, 기린 9000S

메모리는 모두 하이닉스의 LPDDR5-6400 사용

LPDDR5-6400: 하이닉스 1z(15nm-16nm)

 

 

 

퀄컴 SoC의 메모리 제조 공정 요약:

7Gen1, 8Gen1, 8+Gen1

메모리는 삼성과 하이닉스 LPDDR5-6400을 혼합하여 사용합니다.

LPDDR5-6400: 삼성 1z(15nm-16nm)

LPDDR5-6400: 하이닉스 1z(15nm-16nm)

///

7sGen2

메모리는 모두 마이크론의 LPDDR5-6400을 사용합니다.

LPDDR5-6400: 마이크론 1z(15nm-16nm)

///

7+Gen2

마이크론의 LPDDR5-6400 메모리.

LPDDR5-6400: 마이크론 1z(15nm-16nm)

///

8Gen2, 8Gen3

메모리는 하이닉스와 마이크론 LPDDR5X-8533이 혼합되어 있습니다.

LPDDR5X-8533 : 하이닉스 1α(13nm-14nm)

LPDDR5X-8533 : 마이크론 1β(12nm-13nm)

 

 

 

MediaTek SoC용 통합 메모리 제조 프로세스:

D8100.

메모리는 모두 삼성의 LPDDR5-6400을 사용합니다.

LPDDR5-6400: 삼성 1z(15nm-16nm)

///

D8200

메모리는 삼성의 LPDDR5X-8533입니다.

LPDDR5X-8533: 삼성 1α(13nm-14nm)

///

D8300-Ultra

메모리는 모두 하이닉스의 LPDDR5X-8533을 사용합니다.

LPDDR5X-8533 : 하이닉스 1α(13nm-14nm)

///

D9000

모든 메모리에 마이크론의 LPDDR5X-7500 사용

LPDDR5X-7500 : 마이크론 1α(13nm-14nm)

///

D9000+

메모리는 삼성의 LPDDR5-6400입니다.

LPDDR5-6400 : 삼성 1z(15nm-16nm)

///

D9200

메모리는 삼성의 LPDDR5X-8533입니다.

LPDDR5X-8533: 삼성 1α(13nm-14nm)

///

D9200+, D9300

메모리는 마이크론의 LPDDR5X-8533을 사용하고 있습니다.

LPDDR5X-8533 : 마이크론 1β(12nm-13nm)

///

D9300

하이닉스 LPDDR5T 메모리 인증

모든 메모리는 하이닉스 LPDDR5T-9600입니다.

LPDDR5T-9600 : 하이닉스 1α(13nm-14nm)

 

 

 

Apple SoC의 메모리 제조 공정에 대한 요약입니다:

M1

메모리는 모두 하이닉스의 LPDDR4X를 사용합니다.

LPDDR4X-4266: 하이닉스 1x(18nm)

///

A15

메모리는 삼성의 LPDDR4X입니다.

LPDDR4X-4266 : 삼성 1y(17nm)

///

M1 Pro, M1 Max, M1 Ultra

메모리 모두 삼성 및 하이닉스 LPDDR5-6400 혼용

LPDDR5-6400: 삼성 1z(15nm-16nm)

LPDDR5-6400 : 하이닉스 1z(15nm-16nm)

///

A16

메모리는 모두 삼성의 LPDDR5-6400 사용

LPDDR5-6400: 삼성 1z(15nm-16nm)

///

M2, M2 Pro / Max / Ultra

메모리는 모두 하이닉스의 LPDDR5-6400 사용

LPDDR5-6400: 하이닉스 1z(15nm-16nm)

///

A17 Pro 및 M3, M3 Pro, M3 Max

메모리는 하이닉스와 마이크론 LPDDR5-6400이 혼합되어 있습니다.

LPDDR5-6400 : 하이닉스 1β(12nm-13nm)

LPDDR5-6400 : 마이크론 1β(12nm-13nm)

 

 

 

미디어텍 및 퀄컴으로 이동하기

9300과 8Gen3 모두 하이닉스 LPDDR5T-9600 메모리에 대한 인증을 받았습니다.

하이닉스는 또한 향후 새로운 SoC가 인증될 것이라고 말했습니다.

차세대 9400 및 8Gen4는 LPDDR5T-9600 메모리로 완전히 대중화될 것으로 보입니다.

 

 

 

다음으로 9번째 이야기(바로 위 이야기)에 이어서 퀄컴의 상황을 추가합니다.

퀄컴과 마이크론과 파트너십을 체결했습니다.

업계에서 가장 빠른 모바일 메모리인 LPDDR5X-9600과 최신 스냅드래곤 모바일 SoC를 처음으로 결합했습니다.

마이크론의 최신 제조 공정 1β(12nm-13nm) 사용

이전 세대 대비 12% 향상된 피크 대역폭을 제공하는 마그네슘의 LPDDR5X-9600 메모리