소식 인텔 파운드리, 고개구율 극자외선(High-NA EUV) 도입
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- 2024.04.19. 14:00
인텔 파운드리(Intel Foundry)는 미국 오리건주 힐스보로(Hillsboro, Oregon) R&D 구역에 위치한 업계 최초 상업용 고개구율(High Numerical Aperture, High NA) 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV) 노광장비(리소그래피 스캐너) 조립을 완료하며 첨단 반도체 제조 분야에서 중요한 이정표를 달성했다.
노광 선두업체 ASML사 제품인 인텔의 하이 NA EUV 장비 트윈스캔 EXE:5000(TWINSCAN EXE:5000)은 인텔의 첨단 공정 로드맵 개발에 사용될 준비를 위해 여러 조정(calibration) 단계를 진행 중이다. 이 신규 장비는 인쇄된 이미지를 실리콘 웨이퍼에 투사하기 위한 광학 설계 변경을 통해 차세대 프로세서의 해상도와 기능 확장을 획기적으로 개선할 수 있는 기능을 갖추고 있다.
마크 필립스(Mark Phillips) 인텔 펠로우 겸 인텔 파운드리 로직 기술 개발 부문 노광, 하드웨어 및 솔루션 담당 디렉터는 “하이 NA EUV 추가로, 인텔은 업계에서 가장 다방면의 노광 장비를 보유하게 되었으며, 2025년 이후 인텔 18A를 넘어 미래 공정을 추진할 역량을 갖추게 되었다”고 밝혔다.
하이 NA EUV 장비는 첨단 칩 개발과 인텔 18A 이후 차세대 프로세서 생산에서 핵심적인 역할을 할 예정이다. 업계 최초로 하이 NA EUV를 도입한 인텔 파운드리는 칩 제조에서 이전에는 볼 수 없었던 정밀도와 확장성을 제공할 수 있게 되었으며, 자율주행이나 기타 첨단 기술 발전을 도모하는데 필수적인 혁신적인 기능을 갖춘 칩을 개발할 수 있다.