삼성전자가 차세대 메모리 반도체 소재로 지목한 ‘하프니아 강유전체(Hafnia Ferroelectrics)’ 기반 낸드플래시 연구개발(R&D)에 속도를 내고 있다. 현재 200단~300단대에서 기술적 난관에 맞닥뜨린 3D 낸드플래시를 1000단대까지 끌어올려 메모리 반도체 용량을 획기적으로 끌어올리겠다는 포부다. 삼성전자는 현재까지 진행된 R&D 성과를 내달 미국 하와이에서 열리는 세계 최고 권위의 반도체학회 ‘VLSI 심포지엄 2024′에서 카이스트(KAIST)와 함께 발표할 계획이다.

14일 업계에 따르면 삼성전자는 KAIST를 비롯한 국내외 주요 연구기관과 하프니아 강유전체 소재 기반 3D 낸드 기술에 R&D 역량을 집중하고 있다. 하프니아 강유전체는 기존 3D 낸드 적층 기술에 사용되는 산화물 기반 박막(thin film)을 대체할 신소재다. 내구성과 안정성을 높일 것으로 기대된다.