탐스하드웨어에 따르면, ASML은 최근 ITF World 2024 컨퍼런스에서 첫 하이-NA(High Numerical Aperture) 장비를 사용해 칩 제조 밀도 기록을 갱신했다고 발표했습니다.

ASML의 전 사장 겸 CTO인 마틴 반 덴 브링크는 이를 더 확장할 수 있는 하이퍼-NA 칩 제조 툴을 개발하고 잠재적인 로드맵도 공유할 수 있다고 밝혔습니다. 그는 향후 ASML 툴의 처리량을 시간당 400~500 웨이퍼로 늘려 현재 최고치인 200wph의 두 배 이상으로 끌어올려 EUV 칩 제조 비용을 절감하는 계획을 설명했습니다.

ASML은 패스파인딩 하이-NA EUV 머신으로 8nm 고밀도 라인을 인쇄했으며, 이는 생산 환경을 위해 설계된 머신의 밀도 기록입니다. 이 기록은 지난 4월에 패스파인딩 High-NA 머신으로 10nm 고밀도 라인을 인쇄했을 때 세운 자체 기록을 경신한 것입니다.

ASML의 표준 로우-NA EUV 장비는 13.5nm의 임계 치수를 인쇄할 수 있었습니다. 새 하이-NA EXE:5200 EUV 툴은 8nm 피처를 인쇄하여 더 작은 트랜지스터를 만들 수 있도록 설계됐습니다. 이에 따라 ASML은 이제 이 장비가 기본 사양을 충족할 수 있음을 입증했습니다.

반 더 브링크는 또한 새로운 하이퍼-NA EUV 머신을 다시 한 번 제안했지만, 아직 최종 결정은 내려지지 않았습니다. 이 장비는 2033년에 등장할 예정이며, 현재 하이-NA 머신의 가격은 이미 약 4억 달러에 달합니다. 하이-NA는 더 크고 고급스러운 미러와 개선된 조명 시스템이 필요하기 때문에 더 비싼 옵션이 될 것입니다.

현재 표준 EUV 장비는 13.5nm 파장의 빛과 0.33의 수치 조리개를 사용합니다. 이와 대조적으로 새로운 하이-NA 장비는 동일한 파장을 사용하지만 0.55 NA를 사용하여 더 작은 피처를 인쇄할 수 있습니다.

반 더 브링크가 제안한 하이퍼-NA 시스템은 동일한 파장의 빛을 다시 사용하지만 NA를 0.75로 넓혀 더 작은 피처를 인쇄할 수 있도록 합니다. 제안된 임계 치수는 확실하지 않지만, 위의 ASML의 트랜지스터 타임라인에 따르면 16nm 금속 피치에서 가로채고 10nm까지 확장할 수 있습니다.