삼성전자가 2나노 반도체 공정에 후면전력공급(BSPDN) 기술을 적용하면 면적을 17% 가량 줄일 수 있을 것으로 전망했다. BSPDN 적용으로 개선되는 성능 데이터를 공개한 것은 처음이다.

삼성전자는 전면전력공급(FSPDN) 구조가 적용된 2nm 공정과 비교해 성능, 파워, 면적 등에서 유의미한 개선치를 보였다고 설명했다. 삼성전자는 2027년부터 BSPDN을 적용한 2nm 공정(SF2Z)을 고객들에게 제공한다.

이성재 삼성전자 상무는 22일 서울 롯데호텔 월드에서 열린 '지멘스 EDA 포럼'에서 "파워 딜리버리를 전면에서 후면으로 이동시키면서, 전압 강하 등을 혁신적으로 개선할 수 있었다"며 "BSPDN을 적용한 SF2Z(BSPDN 2nm 공정)의 경우 FSPDN 대비 성능은 8%, 파워는 15%, 면적은 17% 개선이 가능하다"고 말했다.