갈륨나이트라이드 에피웨이퍼(GaN Epiwafer) 업체 아이브이웍스 관계자는 "2년전 국내 최초로 4인치 GaN-on-SiC(실리콘카바이드SiC 기판에 갈륨나이트라이드GaN를 올린) 에피웨이퍼 생산을 시작하고 이번에 6인치 국산화에 연달아 성공했다"며 "6인치는 아직 양산단계는 아니다"고 말했다. 4인치 웨이퍼에서 6인치 웨이퍼로 크기가 넓어질 수록, 칩생산량이 많아져 칩당 단가는 내려간다.  

삼성전자 네트워크 사업부는 국내 통신사에 공급한 3.5GHz대역 5G 기지국 장비에 LDMOS 트랜지스터로 만든 PA를 사용했다. 해외 통신사에 납품할 5G 기지국 장비에는 GaN 트랜지스터(GaN-on-SiC)를 채택할 것으로 전해졌다.