삼성전자는 9일 삼성동 코엑스에서 '삼성 파운드리 포럼'과 '세이프 포럼(SAFE) 2024'를 개최하고 AI를 주제로 향후 지원 계획을 발표했다.

이날 'AI 솔루션' 세션에서 최장석 메모리사업부 신사업기획팀장 부사장은 "HBM4는 HBM3 대비 성능이 대폭 향상됐다"라며 "48GB(기가바이트) 용량까지 확대해 내년 생산목표로 개발 중이다"고 밝혔다.

삼성전자는 HBM3E까지 MOSFET 공정을 적용했다면, HBM4부터 핀펫(FinFET) 공정을 적용을 긍정적으로 검토 중이다. 이에 따라 HBM4는 MOSFET 적용 대비 속도가 200% 빠르고, 면적은 70% 줄어들며, 성능은 50% 이상 향상된다고 밝혔다. 삼성전자가 HBM4 스펙에 대해 밝힌 것은 이번이 처음이다.