수율문제가 생깁니다...

누설전류

저건 그냥 EUV와 ArFi의 단편적인 차이점을 부각시키기 위해 만들어둔거고, 실제 패터닝을 그 단점을 최소화하기 위해 공정을 개발하니 저정도로 미친듯이 차이나는건 아닙니다. 그걸 감안해서라도 소자 개발을 진행하구요.

저 문제 때문에 7ArFi는 단방향 배선층을 쓴다나 그래요...   저 위의 것은 양방향 배선층이고....

단방향 배선층을 쓰면 패턴불균일 문제는 피할 수 있는데....  이게 배선이 1층에서는 앞뒤로만 갈 수 있고 옆으로 못가니까  1층에서 앞으로 가다가 윗층 비아를 타고 올라가 2층에서 왼쪽으로 간 다음 다시 비아를 타고 내려가 목적지로 라우팅 하는 형태가 되면서....  배선저항이 늘어날 소지가 커지기는 하죠...

.... 근데 뭐 이미 그런 방식으로 잘 써먹으면서 물건을 씀풍씀풍 내놓는 상황이기 때문에 아주 심각한 문제는 아니게 될 겁니다...  배선층이 좀 복잡해지기는 하지만 못써먹을 정도는 아니라는 이야기.... 

그리고 저게...  과연 이번 세대 EUV 공정에서 가능할지는 의아스러운 게....

펠리클 개발이 지연되면서 EUV를 배선층 레이어에는 적용 못하고 컨택이나 비아에만 한정적으로 적용할 상황이기 쉬운지라...   즉 저 위의 그림 자체가 이번 세대에서는 공수표일 가능성이 커보입니다...