로옴은 서버용 전원 및 태양광 인버터, 자동차 충전소 등에 적합한 650볼트(V)/1200V 내압 트렌치 게이트 구조 실리콘카바이드(SiC) 모스펫(MOSFET) 'SCT3xxx xR 시리즈'를 개발했다고 18일 밝혔다.4단자 패키지(TO-247-4L)는 파워 소스 단자와 드라이버 소스 단자를 분리할 수 있다. 인덕턴스 성분으로 인한 영향의 억제가 가능하다. SiC MOSFET의 고속 스위칭 성능을 최대화할 수 있다. 기존 3단자 패키지 대비 대비 약 35％의 에너지 손실을 줄일 수 있다.8월부터 월 50만개의 생산


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