삼성파운드리 스냅 8 GEN 1이랑 TSMC 스냅8+ GEN 1은 차이가 꽤 있네요

애시당초 삼성파운드리 스냅 8 GEN 1에 들어간 삼성 4LPX는 TSMC 6나노정도 성능이고 TSMC 스냅8+ GEN 1은 TSMC 4나노인셈이니 차이가 안나는게 이상하죠

갤럭시에 들어갈 스냅으로 평균점수를 보면

삼파제 스냅은 평균적으로 싱글:1200~1220 멀티:3200~3300

TSMC제 스냅은 싱글:1300~1350 멀티:3700~3800로 추정되니

이건 뭐..TSMC가 싱글은 10%정도 향상에 멀티 15%~20%향상이니 그냥 1세대 차이라고 봐도 무방할정도네요

여기에 전성비는 30%차이로 TSMC가 우세하니 차이가 더욱 크네요

멸망한 4LPE공정때문에 엑시노스2200이 망했고 그로인해 차기작 2300, 2400 모두 중단되고 안나오는거보면 제발 4나노 5나노 공정수율 향상에 집중좀 했으면 하네요

보니까 4LPX 공정수율이 35%정도인걸로 알고 4LPE는 공정수율 20%인걸로 아는데 공정수율 안정화됐으면 좋겟네요