Symposiums 2024 행사에서 공개된 정보입니다.

-25년 하반기 양산 목표

- 헌재 성능/수율 수준

양산을 1년을 남겨둔 상황에서

현재 예상 성능의 90% 이상을 달성

256Mb SRAM(32MB) 장치의 수율은 배치에 따라 이미 80%를 초과

(2024 3월, 256Mb SRAM의 평균 수율 70%

2023년 4월, 약 35%)

- NTO 상황

N2 첫 해의 신규 테이프아웃(NTO) 수는 N5보다 2배 이상

(신규 세대 공정의 첫해 생산 상황의 경우 애플과 같은 소수의 대량 공급업체와의 긴밀한 협력 관계를 고려할 때 첫 해는 용량이 제한되어 있고 결과적으로 그 대부분이 NTO에 속하기 때문에 NTO는 매우 오해의 소지가 있는 수치일 수 있음)

2년차 상황을 보면 역시나 상당히 더 많은 N5 2년차(N5P 포함) 대비 테이프아웃이 있었고 N2는 2년차에 2.6배 더 많은 NTO를 가질 것을 약속

실제로 TSMC의 슬라이드(불행히도 다시 게시할 수 없음)에 따르면 N2는 첫 해와 두 번째 해 모두 NTO 측면에서 N3보다 더 인기