미니 양자 터널 현상에 대한건 어떻게 된걸까요?

도저히못참겠다
조회 수 572
2021.11.13. 12:30

좀 오래 전 얘기기는 한데

미세공정이 발전하면서 고밀도 트렌지스터

설계가 가능해졌지만

그 정도가 10나노 이하까지 내려왔을 때 즈음

양자터널링 현상으로 미세공정 발전에

장애를 겪고 있다는 소식을 들었던 기억이 납니다.

5나노에 이어서 4나노 3나노도 빠르게

선보이고 있는걸로 보아서는

이것을 해결한거 같기는한데 관련 소식은

들어본 적이 없네요.

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S22(방출)
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		6
								
1등Rcing
									2021.11.13. 12:48									
꾸역꾸역 만드는거죠

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2등영어공학과
									2021.11.13. 12:51									
지금 말하는 5나노 4나노 3나노 이런게 실제 트랜지스터의 크기가 아니라 마케팅용어화 돼서 
실제 10nm까지가려면 한참 남았습니다.

					 2
									
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자동사료급여기
										 영어공학과 님께
				
									2021.11.13. 12:54									
인텔의 14+++ 가 사실은 정직한거 였는가 보네요

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포베글리아
										 자동사료급여기 님께
				
									2021.11.13. 13:55									
인텔 14나노 공정이 tsmc랑 삼성기준 10나노쯤 될겁니다. 인텔 10나노가 7나노쯤 되고요. 이젠 인텔도 진정한 내려놔서 의미 없지만요. 실제 게이트 피치는 10나노 초중반쯤 할껄요? 

					 1
									
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글쓴이도저히못참겠다
										 영어공학과 님께
				
									2021.11.13. 12:54									

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best3등SirsubK
									2021.11.13. 12:57									
물리적 두께를 늘리는 대신, 물질을 다르게 해서 성능을 유지시킵니다.
Ex) 실제 두께는 10nm 이지만, 유전률이 달라 Oxide 3nm의 성능이 나옴

					 4
									
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