차세대 6세대 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory, HBM)인 HBM4 개발 경쟁이 본격화되고 있다. HBM4는 기존 HBM3E 대비 2배 이상 향상된 입출력(I/O) 성능을 구현하기 위해 베이스 다이(Base Die) 공정부터 크게 달라질 전망이다. 완전 맞춤형인 HBM4 등장 이후 메모리 업계 경쟁 구도가 재편될 가능성이 높다.HBM4의 가장 큰 특징은 I/O 수가 1024개에서 2048개로 두 배 증가한다는 점이다. 보다 높은 데이터 전송 속도를 구현하기 위해서다. HBM3의 최


기사 더 읽기