Intel과 ASML은 2025년에 High-NA를 제조업에 도입하기 위해 협업을 강화합니다

Intel은 ASML의 TWINGSCAN EXE:5200 시스템에 대한 첫 구매 주문을 통해 EUV 0.55 NA(High-NA) 도입을 위한 다음 단계를 밟았습니다

오늘 ASML Holding N.V.(ASML)와 Intel Corporation(INTC)은 반도체 리소그래피 기술의 최첨단을 발전시키기 위한 오랜 협력의 최신 단계를 발표했습니다. Intel은 업계 최초의 TWINGSCAN EXE:5200 시스템(높은 수치 조리개와 시간당 200개 이상의 웨이퍼 생산성을 갖춘 극자외선(EUV) 대용량 생산 시스템)을 양사의 장기적인 High-NA 협업 프레임워크의 일부로 제공하기 위해 ASML에 첫 구매 주문서를 발행했습니다.

"ASML의 High-NA EUV 기술에 대한 Intel의 비전과 초기 헌신은 무어의 법칙을 끊임없이 추구한다는 증거입니다. 현재의 EUV 시스템에 비해 NAT의 혁신적이고 확장된 EUV 로드맵은 향후 10년 동안 칩 업계가 경제적인 확장을 추진하는 데 필요한 복잡성, 비용, 주기 시간 및 에너지를 줄이면서 지속적으로 석판 인쇄를 개선합니다."라고 ASML의 사장 겸 CTO인 Martin van den Brink는 말했습니다.

Intel은 7월 Accelerated 행사에서 트랜지스터 혁신 로드맵을 실현하기 위해 최초의 High-NA 기술을 배치할 계획이라고 발표했습니다. Intel은 2018년에 이전의 TWINGSCAN EXE:5000 시스템을 가장 먼저 구매했으며, 오늘 새로운 구매가 발표됨에 따라 2025년부터 High-NA EUV와 함께 Intel의 생산 제조 과정을 계속 이어나가고 있습니다.

"Intel의 초점은 반도체 리소그래피 기술의 선두를 유지하는 것이며 우리는 지난 1년 동안 EUV의 전문성과 역량을 구축하고 있습니다. ASML과 긴밀히 협력하여 NAT EUV의 고해상도 패턴화를 무어의 법칙을 지속하고 가장 작은 기하학적 구조까지 강력한 진행 역사를 유지하는 방법 중 하나로 활용할 것입니다."라고 Intel의 기술 개발 총괄 부사장 겸 총괄 매니저인 Ann Kelleher 박사는 말했습니다.

EXE 플랫폼은 EUV 기술의 발전 단계이며 새로운 광학 설계와 훨씬 빠른 레티클 및 웨이퍼 단계를 포함합니다. TWINGSCAN EXE:5000 및 EXE:5200 시스템은 0.33 숫자 조리개 렌즈를 장착한 이전 EUV 기계보다 정밀하게 향상된 0.55 숫자 조리개를 제공하여 더 작은 트랜지스터 기능에 대한 고해상도 패턴화가 가능합니다. 시스템의 숫자 조리개는 사용된 파장과 결합되어 인쇄 가능한 가장 작은 특징을 결정합니다.

EUV 0.55 NA는 업계 최초로 2025년부터 여러 개의 미래 노드를 구현하도록 설계되었으며, 이후 유사한 밀도의 메모리 기술이 도입되었습니다. 2021 인베스터 데이에서 ASML은 EUV 로드맵을 공유하고 2025년부터 High-NA 기술이 생산 제조를 지원할 것이라고 밝혔습니다. 오늘의 발표는 이 로드맵과 일치합니다.