삼성전자는 GAA 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획이다.

(중략)

삼성전자는 u-Bump(micro Bump)형 X-Cube를 2024년에 양산하고, 2026년에는 Bump-less형 X-Cube를 선보일 계획이다.
* u-Bump(micro Bump): 일반 범프 대비 더 많은 I/O를 패키징에 넣을 수 있어 더 많은 데이터 처리가 가능
* Bump-less: 패키징에서 범프를 없애고 더 많은 I/O를 삽입이 가능해 데이터의 처리 양을 u-Bump 보다 더 많게 구현할 수 있음

(중략)

삼성전자는 지난 6월 세계최초로 3나노 공정 기반의 HPC 제품을 양산한데 이어, 4나노 공정을 HPC와 오토모티브로 확대한다.

(중략)

삼성전자는 현재 양산 중인 28나노 차량용 eNVM 솔루션을 2024년 14나노로 확대하고, 향후 8나노 eNVM 솔루션을 위한 기술도 개발 중이다.

삼성전자는 RF 공정 서비스도 확대한다. 삼성전자는 현재 양산 중인 14나노 RF 공정에 이어 세계 최초로 8나노 RF 제품 양산에 성공했으며, 5나노 RF 공정도 개발 중이다.

- 2나노 25년 도입

- 1.4나노 27년 도입

- u-Bump(micro Bump)형 X-Cube 24년 양산

- Bump-less형 X-Cube 26년 출시

- 3나노 HPC 양산 중

- 4나노 HPC/오토모티브 분야 확대 예정

- 28나노 eNVM 양산 중

- 14나노 eNVM 24년 도입

- 8나노 eNVM 개발 중

- 14RF 양산 중

- 8RF 양산 중

- 5RF 개발 중