미니 TSMC & NTU & MIT, 2D material 관련 연구성과
- 좌지우건
- 조회 수 302
- 2021.05.20. 23:19
Nature에 공개된 내용으로
bismuth(Bi)와 transition metal dichalcogenides (TMDs)사이의 ohmic contact을 통해
zero Schottky barrier height와 123 ohm micrometres의 contact resistance 그리고 1,135 microamps per micrometre의 on-state current density를 달성했다고 합니다.
이러한 성과는 1nm 이하의 노드개발에 활용될 수 있다고하네요.
출처
댓글
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저런식으로 새로운물질 FET 만들어서 실험하는게 하루이틀 일이 아닌데
그냥 저걸로 될 가능성이 있다는거지 저게 무조건 미래다 같은건 말도안되고요
TSMC가 낀 연구실에서 나와서 언론이 주목할수는 있다고봅니다만 새로울건 없습니다