미니 SoC별 DRAM 정보
- 좌지우건
- 조회 수 1438
- 2024.02.25. 23:41
각 SoC에 대한 메모리 제조 공정 재집계
출처 The JoongAng
회로 구조가 3차원적이기 때문에
따라서 선형 측정은 더 이상 적용되지 않습니다.
몇 나노미터 또는 몇 나노미터가 아니라.
따라서 1x, 1y, 1z, 1α, 1β, 1γ 등입니다.
이러한 용어의 목적은 DRAM 제조 공정을 정의하기 위한 것입니다.
1x 제조 공정(18nm)
1y 제조 공정(17nm)
1z 제조 공정(15nm-16nm)
1알파 제조 공정(13nm-14nm)
1β 제조 공정(12nm-13nm)
화웨이 SoC용 총 메모리 제조 공정:
기린 980, 기린 985, 기린 990
메모리는 모두 하이닉스의 LPDDR4X-4266 사용
LPDDR4X-4266: 하이닉스 1x(18nm)
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기린 9000E, 기린 9000
메모리에는 하이닉스의 LPDDR5-5500이 사용됩니다.
LPDDR5-5500 : 하이닉스 1y(17nm)
///
기린 8000, 기린 9000SL, 기린 9000S
메모리는 모두 하이닉스의 LPDDR5-6400 사용
LPDDR5-6400: 하이닉스 1z(15nm-16nm)
퀄컴 SoC의 메모리 제조 공정 요약:
7Gen1, 8Gen1, 8+Gen1
메모리는 삼성과 하이닉스 LPDDR5-6400을 혼합하여 사용합니다.
LPDDR5-6400: 삼성 1z(15nm-16nm)
LPDDR5-6400: 하이닉스 1z(15nm-16nm)
///
7sGen2
메모리는 모두 마이크론의 LPDDR5-6400을 사용합니다.
LPDDR5-6400: 마이크론 1z(15nm-16nm)
///
7+Gen2
마이크론의 LPDDR5-6400 메모리.
LPDDR5-6400: 마이크론 1z(15nm-16nm)
///
8Gen2, 8Gen3
메모리는 하이닉스와 마이크론 LPDDR5X-8533이 혼합되어 있습니다.
LPDDR5X-8533 : 하이닉스 1α(13nm-14nm)
LPDDR5X-8533 : 마이크론 1β(12nm-13nm)
MediaTek SoC용 통합 메모리 제조 프로세스:
D8100.
메모리는 모두 삼성의 LPDDR5-6400을 사용합니다.
LPDDR5-6400: 삼성 1z(15nm-16nm)
///
D8200
메모리는 삼성의 LPDDR5X-8533입니다.
LPDDR5X-8533: 삼성 1α(13nm-14nm)
///
D8300-Ultra
메모리는 모두 하이닉스의 LPDDR5X-8533을 사용합니다.
LPDDR5X-8533 : 하이닉스 1α(13nm-14nm)
///
D9000
모든 메모리에 마이크론의 LPDDR5X-7500 사용
LPDDR5X-7500 : 마이크론 1α(13nm-14nm)
///
D9000+
메모리는 삼성의 LPDDR5-6400입니다.
LPDDR5-6400 : 삼성 1z(15nm-16nm)
///
D9200
메모리는 삼성의 LPDDR5X-8533입니다.
LPDDR5X-8533: 삼성 1α(13nm-14nm)
///
D9200+, D9300
메모리는 마이크론의 LPDDR5X-8533을 사용하고 있습니다.
LPDDR5X-8533 : 마이크론 1β(12nm-13nm)
///
D9300
하이닉스 LPDDR5T 메모리 인증
모든 메모리는 하이닉스 LPDDR5T-9600입니다.
LPDDR5T-9600 : 하이닉스 1α(13nm-14nm)
Apple SoC의 메모리 제조 공정에 대한 요약입니다:
M1
메모리는 모두 하이닉스의 LPDDR4X를 사용합니다.
LPDDR4X-4266: 하이닉스 1x(18nm)
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A15
메모리는 삼성의 LPDDR4X입니다.
LPDDR4X-4266 : 삼성 1y(17nm)
///
M1 Pro, M1 Max, M1 Ultra
메모리 모두 삼성 및 하이닉스 LPDDR5-6400 혼용
LPDDR5-6400: 삼성 1z(15nm-16nm)
LPDDR5-6400 : 하이닉스 1z(15nm-16nm)
///
A16
메모리는 모두 삼성의 LPDDR5-6400 사용
LPDDR5-6400: 삼성 1z(15nm-16nm)
///
M2, M2 Pro / Max / Ultra
메모리는 모두 하이닉스의 LPDDR5-6400 사용
LPDDR5-6400: 하이닉스 1z(15nm-16nm)
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A17 Pro 및 M3, M3 Pro, M3 Max
메모리는 하이닉스와 마이크론 LPDDR5-6400이 혼합되어 있습니다.
LPDDR5-6400 : 하이닉스 1β(12nm-13nm)
LPDDR5-6400 : 마이크론 1β(12nm-13nm)
미디어텍 및 퀄컴으로 이동하기
9300과 8Gen3 모두 하이닉스 LPDDR5T-9600 메모리에 대한 인증을 받았습니다.
하이닉스는 또한 향후 새로운 SoC가 인증될 것이라고 말했습니다.
차세대 9400 및 8Gen4는 LPDDR5T-9600 메모리로 완전히 대중화될 것으로 보입니다.
다음으로 9번째 이야기(바로 위 이야기)에 이어서 퀄컴의 상황을 추가합니다.
퀄컴과 마이크론과 파트너십을 체결했습니다.
업계에서 가장 빠른 모바일 메모리인 LPDDR5X-9600과 최신 스냅드래곤 모바일 SoC를 처음으로 결합했습니다.
마이크론의 최신 제조 공정 1β(12nm-13nm) 사용
이전 세대 대비 12% 향상된 피크 대역폭을 제공하는 마그네슘의 LPDDR5X-9600 메모리
삼성 1a제품 생각보다 많이 보이네요
1년전만 하더라 수율 개똥이었다 하던데